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图片 商品型号 制造商 描述 关键参数
HSCR-0223D 华联

可控硅输出型光耦

数据手册

封装形式:DIP8

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.3A

触发类型:非过零型

断态临界电压上升率:≥200

工作温度:-30~85℃

介质耐压:5000

HSCR-0223P 华联

可控硅输出型光耦

数据手册

封装形式:SOP8

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.3A

触发类型:非过零型

断态临界电压上升率:≥200

工作温度:-30~85℃

介质耐压:5000

HSCR-1223D 华联

可控硅输出型光耦

数据手册

封装形式:DIP8

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.6A

触发类型:非过零型

断态临界电压上升率:≥200

工作温度:-30~85℃

介质耐压:5000

HSCR-1223P 华联

可控硅输出型光耦

数据手册

封装形式:SOP8

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.6A

触发类型:非过零型

断态临界电压上升率:≥200

工作温度:-30~85℃

介质耐压:5000

HSCR-2223D 华联

可控硅输出型光耦

数据手册

封装形式:DIP8

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.9A

触发类型:非过零型

断态临界电压上升率:≥200

工作温度:-30~85℃

介质耐压:5000

HSCR-2223P 华联

可控硅输出型光耦

数据手册

封装形式:SOP8

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.9A

触发类型:非过零型

断态临界电压上升率:≥200

工作温度:-30~85℃

介质耐压:5000

HSCR-3223D 华联

可控硅输出型光耦

数据手册

封装形式:DIP8

断态峰值电压:600V

通态有效电流:1.2A

触发类型:非过零型

断态临界电压上升率:≥200

工作温度:-30~85℃

介质耐压:5000

HSCR-3223P 华联

可控硅输出型光耦

数据手册

封装形式:SOP8

断态峰值电压:600V

通态有效电流:1.2A

触发类型:过零型

断态临界电压上升率:≥200

工作温度:-30~85℃

介质耐压:5000

HSCR-0213D 华联

可控硅输出型光耦

数据手册

封装形式:DIP8

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.3A

触发类型:过零型

断态临界电压上升率:≥200

工作温度:-30~85℃

介质耐压:5000

HSCR-0213P 华联

可控硅输出型光耦

数据手册

封装形式:SOP8

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.3A

触发类型:过零型

断态临界电压上升率:≥200

工作温度:-30~85℃

介质耐压:5000

HSCR-1213D 华联

可控硅输出型光耦

数据手册

封装形式:DIP8

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.6A

触发类型:过零型

断态临界电压上升率:≥200

工作温度:-30~85℃

介质耐压:5000

HSCR-1213P 华联

可控硅输出型光耦

数据手册

封装形式:SOP8

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.6A

触发类型:过零型

断态临界电压上升率:≥200

工作温度:-30~85℃

介质耐压:5000

HSCR-2213D 华联

可控硅输出型光耦

数据手册

封装形式:DIP8

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.9A

触发类型:过零型

断态临界电压上升率:≥200

工作温度:-30~85℃

介质耐压:5000

HSCR-2213P 华联

可控硅输出型光耦

数据手册

封装形式:SOP8

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.9A

触发类型:过零型

断态临界电压上升率:≥200

工作温度:-30~85℃

介质耐压:5000

HSCR-3213D 华联

可控硅输出型光耦

数据手册

封装形式:DIP8

断态峰值电压:600V

通态有效电流:1.2A

触发类型:过零型

断态临界电压上升率:≥200

工作温度:-30~85℃

介质耐压:5000

HSCR-3213P 华联

可控硅输出型光耦

数据手册

封装形式:SOP8

断态峰值电压:600V

通态有效电流:1.2A

触发类型:过零型

断态临界电压上升率:≥200

工作温度:-30~85℃

介质耐压:5000

HPC3022-2 华联

双向晶闸管输出型光耦

封装形式:SOP6

断态峰值电压:400V

通态有效电流:0.1A

LED触发电流:10mA

触发类型:非过零型

断态临界电压上升率:1000V/μs

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000Vrms

HPC3022-3 华联

双向晶闸管输出型光耦

封装形式:DIP6

断态峰值电压:400V

通态有效电流:0.1A

LED触发电流:10mA

触发类型:非过零型

断态临界电压上升率:1000V/μs

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000Vrms

HPC3023-2 华联

双向晶闸管输出型光耦

封装形式:SOP6

断态峰值电压:400V

通态有效电流:0.1A

LED触发电流:5mA

触发类型:非过零型

断态临界电压上升率:1000V/μs

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000Vrms

华联

双向晶闸管输出型光耦

封装形式:DIP6

断态峰值电压:400V

通态有效电流:0.1A

LED触发电流:5mA

触发类型:非过零型

断态临界电压上升率:1000V/μs

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000Vrms

HPC3052-2 华联

双向晶闸管输出型光耦

封装形式:SOP6

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.1A

LED触发电流:10mA

触发类型:非过零型

断态临界电压上升率:1000V/μs

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000Vrms

HPC3052-3 华联

双向晶闸管输出型光耦

封装形式:DIP6

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.1A

LED触发电流:10mA

触发类型:非过零型

断态临界电压上升率:1000V/μs

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000Vrms

HPC3053-2 华联

双向晶闸管输出型光耦

封装形式:SOP6

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.1A

LED触发电流:5mA

触发类型:非过零型

断态临界电压上升率:1000V/μs

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000Vrms

HPC3053-3 华联

双向晶闸管输出型光耦

封装形式:DIP6

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.1A

LED触发电流:5mA

触发类型:非过零型

断态临界电压上升率:1000V/μs

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000Vrms

HPC3062-2 华联

双向晶闸管输出型光耦

封装形式:SOP6

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.1A

LED触发电流:10mA

触发类型:过零型

断态临界电压上升率:1000V/μs

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000Vrms

HPC3062-3 华联

双向晶闸管输出型光耦

封装形式:DIP6

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.1A

LED触发电流:10mA

触发类型:过零型

断态临界电压上升率:1000V/μs

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000Vrms

HPC3063-2 华联

双向晶闸管输出型光耦

封装形式:SOP6

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.1A

LED触发电流:5mA

触发类型:过零型

断态临界电压上升率:1000V/μs

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000Vrms

HPC3063-3 华联

双向晶闸管输出型光耦

封装形式:DIP6

断态峰值电压:600V

通态有效电流:0.1A

LED触发电流:5mA

触发类型:过零型

断态临界电压上升率:1000V/μs

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000Vrms